（1）外壳尺寸变差。槽型和反射型光电传感器绝大多数的外壳采用塑料外壳，模具加工制造、注塑件的注塑以及冷却过程都会惹起同一尺寸在不同塑料外壳之间的变化，这包括槽型光电传感器发射器与接纳器前槽缝宽度的变化、外壳上用于装置发射器与接纳器局部之间间隔的变化，反射型光电传感器发射器与接纳器前孔尺寸的改动、外壳上用于装置发射器与接纳器局部之间角度的变化等。这些尺寸的变化将惹起传感器输出电流的变化。

（2）装配过程中产生的变差。槽型和反射型光电传感器中发射器、接纳器与外壳间的装配与固定需求经过一定的工艺来完成，如槽型光电传感器，对一些外壳资料可经过热压的方式将发射器和接纳器与外壳固定。在装配过程中，对槽式光电传感器，发射器透镜的光轴并不能保证与接纳器透镜光轴在同一条线上，一些产品偏离设计请求小一些，而另一些则偏离大一些；同样，对反射型光电传感器，发射器透镜的光轴与接纳器透镜光轴的交点也不可能都如设计所请求正好位于反射物的外表上，有些产品的交点靠前，而另一些则可能靠后一些。这些装配过程中的变差也会惹起传感器输出电流的变化。

（3）发射器辐射强度及其空间散布上的变化晶片位置对发射器辐射强度及在空间散布有影响。在设计条件下，晶片位于发射器透镜的中心线上。但在发射器的消费制造过程中，固晶（die_attach）和封胶（encapsulation）这两道工序都可能使晶片偏离中心线，而封胶过程形成的偏离普通会更大。图3为同一晶圆（wafer）不同批次（lot）发射器辐射强度的散布。由图可见，批次1辐射强度在0.07～0.08 mW/10°范围内发射器的比例为34.2%，而批次2辐射强度在相同范围内的比例为41.8%。由于发射器辐射强度的测试与发射器在光电传感器中的运用条件普通并不相同，辐射强度在空间散布的变化有可能招致在相同条件下，装配测试得到的高辐射强度发射器的光电传感器，其输出电流反而比装配测试得到的低辐射强度发射器的光电传感器低。另外，通常状况下用于填充反射杯和掩盖晶片的硅胶的折射率与封胶用的环氧树脂（epoxy）的折射率非常接近，故硅胶与环氧树脂接壤面的外形对发射器的辐射强度散布的影响很小。但若两者有一定差异，则接壤面的外形会对发射器的辐射强度散布产生影响，这种状况下控制点胶工序中所用硅胶的量相同或相近非常重要，以便使不同发射器硅胶与环氧树脂接壤面的外形坚持分歧，防止由此惹起发射器辐射强度在空间散布的变化。

（4）测试误差。在发射器与接纳器测试过程中，由于机台、测试人员不同，会招致测试结果的变差。图4为3位测试人员在同一机台测试相同的三个接纳器样品得到的结果。由图可见，样品2不同集电极电流测试值之间的较大差值以至略高于0.5 mA.测试误差与机台的丈量精度、测试过程中用于固定元件的夹具的精度等有关。

3进步产品良品率的措施

（1）合理肯定光电传感器输出电流的范围。依据应用场所的不同，光电传感器输出电流的范围有宽有窄。对输出电流的范围有较高请求的应用场所，需合理肯定范围，过高的请求会招致产品良品率的降落，招致本钱增加。

（2）样品应具代表性。在样品制造阶段，应从不同消费批次中抽取发射器和接纳器来组装传感器样品，从而在设计阶段对一个批次中可用的发射器和接纳器的比例有正确的估量，防止批量消费时良品率偏低。

（3）工艺与制造过程的控制。外壳尺寸的变化、装配中发射器与接纳器的固定、晶片位置的变化以及测试误差都会招致传感器输出电流的变化，严厉控制外壳注塑工艺过程、传感器的装配过程、发射器与接纳器的制造过程，是进步传感器良品率的必要条件。另外，发射器与接纳器测试前都应采用规范元件对测试机台停止校准。

（4）分等级匹配。若光电传感器输出电流的范围请求比拟窄，可思索将同一批次的发射器或接纳器按辐射强度或集电极电流分红两至三个等级，高辐射强度发射器与低集电极电流接纳器相匹配，或低辐射强度发射器与高集电极电流接纳器相匹配，以进步同一批次中可用发射器和接纳器的比例。在特定状况下，如外壳本钱较高，以至可思索增加返工工序，交换不合格产品中的发射器或接纳器，使其满足对输出电流的请求。

4结论

大多数应用场所对光电传感器的输出电流的范围有一定请求，有些场所的请求还很苛刻，如何合理肯定发射器的辐射强度与接纳器的集电极电流，以及光电传感器的其他一些设计参数，是光电传感器设计与研发中的一个关键。同时，发射器与接纳器制造过程中的一些变差、外壳注塑及装配过程中的变差、测试误差等都会影响光电传感器的输出，需求对这些工艺及制造过程停止严厉控制。对输出电流请求苛刻的光电传感器，在制造过程中，还可思索将接纳器与发射器按辐射强度与集电极电流停止分等级匹配，以进步产品良品率。